1.散熱技術(shù)

由于熱損耗引起的溫升增高，發(fā)光二極管亮度將不再繼續(xù)隨著電流成比例提高，即顯示出熱飽和現(xiàn)象。另外，隨著結(jié)溫的上升，發(fā)光的峰值波長也將向長波方向漂移，約0.2-0.3nm/℃，這對于通過由藍光芯片涂覆YAG熒光粉混合得到的白色LED來說，藍光波長的漂移，會引起與熒光粉激發(fā)波長的失配，從而降低白光LED的整體發(fā)光效率，并導致白光色溫的改變。

對于封裝和應用來說，如何降低產(chǎn)品的熱阻，使PN結(jié)產(chǎn)生的熱量能盡快的散發(fā)出去，不僅可提高產(chǎn)品的飽和電流，提高產(chǎn)品的發(fā)光效率，同時也提高了產(chǎn)品的可靠性和壽命。為了降低產(chǎn)品的熱阻，首先封裝材料的選擇顯得尤為重要，包括熱沉、粘結(jié)膠等，各材料的熱阻要低，即要求導熱性能良好。其次結(jié)構(gòu)設計要合理，各材料間的導熱性能連續(xù)匹配，材料之間的導熱連接良好，避免在導熱通道中產(chǎn)生散熱瓶頸，確保熱量從內(nèi)到外層層散發(fā)。同時，要從工藝上確保，熱量按照預先設計的散熱通道及時的散發(fā)出去。

 

2、填充膠的選擇

根據(jù)折射定律，光線從光密介質(zhì)入射到光疏介質(zhì)時，當入射角達到一定值，即大于等于臨界角時，會發(fā)生全發(fā)射。以GaN藍色芯片來說，GaN材料的折射率是2.3，當光線從晶體內(nèi)部射向空氣時，根據(jù)折射定律，臨界角θ0=sin-1(n2/n1)

 

其中n2等于1，即空氣的折射率，n1是GaN的折射率，由此計算得到臨界角θ0約為25.8度。在這種情況下，能射出的光只有入射角≤25.8度這個空間立體角內(nèi)的光，據(jù)報導，目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右，因此，由于芯片晶體的內(nèi)部吸收，能射出到晶體外面光線的比例很少。據(jù)報導，目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右。同樣，芯片發(fā)出的光要透過封裝材料，傳送到空間，也要考慮材料對取光效率的影響。所以，為了提高LED產(chǎn)品封裝的取光效率，必須提高n2的值，即提高封裝材料的折射率，以提高產(chǎn)品的臨界角，從而提高產(chǎn)品的封裝發(fā)光效率。同時，封裝材料對光線的吸收要小。為了提高出射光的比例，封裝的外形最好是拱形或半球形，這樣，光線從封裝材料射向空氣時，幾乎是垂直射到界面，因而不再產(chǎn)生全反射。

 

3.熒光粉選擇與涂覆

對于白色功率型LED來說，發(fā)光效率的提高還與熒光粉的選擇和工藝處理有關。為了提高熒光粉激發(fā)藍色芯片的效率，首先熒光粉的選擇要合適，包括激發(fā)波長、顆粒度大小、激發(fā)效率等，需全面考核，兼顧各個性能。其次，熒光粉的涂覆要均勻，最好是相對發(fā)光芯片各個發(fā)光面的膠層厚度均勻，以免因厚度不均造成局部光線無法射出，同時也可改善光斑的質(zhì)量。

　

4.反射技術(shù)處理

反射處理主要有兩方面，一是芯片內(nèi)部的反射處理，二是封裝材料對光的反射，通過內(nèi)、外兩方面的反射處理，來提高從芯片內(nèi)部射出的光通比例，減少芯片內(nèi)部吸收，提高功率LED成品的發(fā)光效率。從封裝來說，功率型LED通常是將功率型芯片裝配在帶反射腔的金屬支架或基板上，支架式的反射腔一般是采取電鍍方式提高反射效果，而基板式的反射腔一般是采用拋光方式，有條件的還會進行電鍍處理，但以上兩種處理方式受模具精度及工藝影響，處理后的反射腔有一定的反射效果，但并不理想。目前國內(nèi)制作基板式的反射腔，由于拋光精度不足或金屬鍍層的氧化，反射效果較差，這樣導致很多光線在射到反射區(qū)后被吸收，無法按預期的目標反射至出光面，從而導致最終封裝后的取光與透光效率偏低。